2.2外部引线少、连接简单及整机装配简便
普通的LCD有大量密集的外部引线，如一个1024×768像素点阵的LCD便有2592条外部引线，给整机装配带来了诸多不便，而LCoS由于是将LCD制于单晶硅片上，LCD的行、列引出线皆通过半导体工艺在硅片内与IC相连接，故留在外部的仅有数条数据控制线、时序线及电源线等。可利用通用连接端口与前级电路相连接，颇为简便。
2.3体积更小、外观更精巧及成本更低廉
普通的LCD在制造过程中需在玻璃基板上进行光刻，制成像素。通常将像素制至0.28mm已属不易，因在每个像素上还需制出一个有源器件。但LCoS的像素是制在单晶硅片上，硅片采用LSIC的工艺进行加工，可将象像制至4µm以下。故在一个仅零点数英寸的硅片上可制成1024×768像素，甚至1920×1240像素点阵密度的显示产品。显示的信息量密度增大了，而体积却减少了（达0.35~0.5英寸），材料费及成本自然便会大幅度地降低。LCoS可将驱动IC等外部电路完全制于CMOS基板上，减少外部IC的数量及封装成本，并使体积减小。目前试产的LCoS显示屏的成本仅50美元。2.2㎝/1280×1024像素点阵的LCoS芯片价格才150美元，较相同分辨率的LCD和数字微镜（DMD）低得多，将来还会有更大的降价空间。
2.4像素开口率高、分辨率高
LCoS解决了普通TFT-LCD像素开口率不高的技术难题。像素开口率是指显示像素上有效显示面积所占的比例大小。普通的TFT-LCD需在每个像素面积内划出一个区域来制成场效应三极管和电容，由于普通的TFT-LCD是在玻璃基板非晶硅膜层上制成的，非晶硅或多晶硅层上制作场效应管时，由于非晶硅或多晶硅的电子迁移率低，故场效应管等有源器件所占的面积较大，而LCoS采用单晶硅，其电子迁移率较非晶硅或多晶硅高得多，所以其面积可制成很小，因而其开口率可很高，达96%以上。
由于LCoS的晶体管及驱动电路皆制于单晶硅基板内，位于反射面之下，并不占用表面面积，故仅有像素间隙才占用开口面积，不像透射式LCD的TFT及导线皆占用开口面积，所以理论上无论是分辨率还是开口率，LCoS都较透射式LCD高。由于LCoS采用半导体方式来控制分辨率，故分辨率很高，通常达到SXGA等级（1280×1024像素），较高的分辨率又导致较小的画面像素，使画质逼真自然。高解析度可随半导体制造过程快速实现微细化，易于提高解析度，尤其适用于便携式咨询设备。迄今，它的制造工艺技术已日臻成熟。
2.5光利用率高
LCoS可提高光的利用率。它与LCD投影显示器相类似，主要差别在于LCoS属反射式成象，故光利用率可达40%以上，与数字光处理（DLP）相当，而透射式LCD仅有3~10%而已。众所周知，LCD属于被动式显示器件，*调制外界环境光来实现显示的，普通的LCD在前后各装有一片偏光膜，LCD便是*调制偏振光的开关通断来实现显示的。偏光膜是*吸收光来产生偏光的，故制成的LCD透光率很低，普通的TFT-LCD透光率仅百分之几，因此，为显示清晰，在TFT-LCD的背后需装上一个较强的背光源。该背光源颇耗电，从而将TFT-LCD微功耗的特点丧失贻尽。
